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Étude de la conception optimale de dispositifs reconfigurables à l'échelle nanométrique

By N. S. Murti Sarma

Étude de la conception optimale de dispositifs reconfigurables à l'échelle nanométrique

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Description
L'objectif de la conception du SiNWFET à double espaceur k est de réduire le SCE et d'augmenter le rapport courant marche/arrêt. Le dispositif proposé combine efficacement différents mécanismes permettant de réduire le sub threshold swing (SS). L'utilisation d'espaceurs et d'une jonction Schottky permet d'obtenir un système plus efficace pour améliorer les paramètres de conception tels que la densité électrique, le potentiel et la résistance du dispositif. Nos résultats de simulation montrent que, bien que l'espaceur à haute constante diélectrique améliore les performances du dispositif telles que l'ION, le S/S, les performances du dispositif sont améliorées et les pertes réduites. Dans le SiNWFET existant, la réduction de l'épaisseur de l'oxyde de grille n'est pas une bonne idée, car elle entraîne une réduction du rapport courant marche/arrêt, bien que le S/S reste pratiquement inchangé. Dans un FET normal sans espaceur, le courant d'arrêt est élevé et l'effet de canal court est accru. Dans les dispositifs existants, le courant de coupure est plus élevé et les performances sont également réduites. La revue, la synthèse et la conduite de la littérature sont des mesures réelles d'une tentative standard ou postuniversitaire de revue de la littérature. Une revue bien organisée et formulée mettra en lumière la contribution et le cadre d'une bonne méthodologie.
Product details
Binding:
Paperback
Number of Pages:
60
Publication Date:
2025-06-26
Publisher:
Editions Notre Savoir
Languages:
Original: French
ISBN10:
6202473215
ISBN13:
9786202473217
Weight:
107 g
Height:
150 cm
Width:
220 cm
Thickness:
4 cm
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