Badanie optymalnej konstrukcji urz¿dze¿ rekonfigurowalnych w nanoskali

Name: Badanie optymalnej konstrukcji urz¿dze¿ rekonfigurowalnych w nanoskali
Brand: Wydawnictwo Nasza Wiedza
Availability: OutOfStock
Rating: 5 (1 reviews)

By N. S. Murti Sarma

0 - Default Title

Description

Celem projektowania SiNWFET z wykorzystaniem podwójnego spaceru k jest zmniejszenie SCE i zwi¿kszenie stosunku pr¿du w¿¿czenia do pr¿du wy¿¿czenia. Proponowane urz¿dzenie skutecznie ¿¿czy ró¿ne mechanizmy obni¿ania subthreshold swing (SS). Dzi¿ki zastosowaniu spacerów i z¿¿cza Schottky'ego uzyskujemy bardziej wydajny system, który poprawia parametry konstrukcyjne urz¿dzenia, takie jak g¿sto¿¿ elektryczna, potencjä i rezystancja. Wyniki naszych symulacji pokazuj¿, ¿e chociä przek¿adka o wysokim wspó¿czynniku ¿ poprawia wydajno¿¿ urz¿dzenia, tak¿ jak ION, S/S, to wydajno¿¿ urz¿dzenia uleg¿a poprawie i zmniejszy¿y si¿ straty. W istniej¿cym SiNWFET zmniejszenie grubo¿ci tlenku bramki nie jest dobrym pomys¿em, poniewä powoduje to zmniejszenie stosunku pr¿du w¿¿czenia do pr¿du wy¿¿czenia, chociä S/S pozostaje w wi¿kszo¿ci niezmienione. W normalnym FET bez przek¿adki ma on wysoki pr¿d wy¿¿czenia i zwi¿kszony efekt krótkiego kanäu. W istniej¿cym urz¿dzeniu pr¿d wy¿¿czenia jest wi¿kszy, a wydajno¿¿ równie¿ zmniejszona. Przegl¿d, synteza i przeprowadzenie analizy literatury s¿ rzeczywistymi miernikami standardowej lub podyplomowej próby przegl¿du literatury. Dobrze zorganizowany i sformu¿owany przegl¿d najlepiej pokäe wk¿ad i ramy dobrej metodologii.

Product details

Binding:: Paperback
Number of Pages:: 60
Publication Date:: 2025-06-26
Publisher:: Wydawnictwo Nasza Wiedza
Languages:: Original: Polish
ISBN10:: 6202473169
ISBN13:: 9786202473163
Weight:: 107 g
Height:: 150 cm
Width:: 220 cm
Thickness:: 4 cm

Buy on Amazon

Currently sold out

Add to Wishlist