Studio delle proprietà optoelettroniche delle leghe HfxSi1-xO2

Name: Studio delle proprietà optoelettroniche delle leghe HfxSi1-xO2
Brand: Edizioni Sapienza
Availability: OutOfStock
Rating: 5 (1 reviews)

By Mawloud Ould Moussa

0 - Default Title

Description

In questo lavoro abbiamo studiato la stabilità dinamica, le proprietà strutturali, elettroniche e termoelettriche delle leghe di tipo HfxSi1-xO2, utilizzando il metodo delle onde piane linearizzate aumentate con potenziale totale (FP-LAPW) nell'ambito della teoria della funzionale della densità (DFT) implementata nel codice Wien2k. Il potenziale di scambio e di correlazione è stato trattato con diverse approssimazioni come GGA. I risultati elettronici ottenuti hanno mostrato che HfSi3O8 possiede un carattere semiconduttore con un gap diretto pari a 3,909 eV, utilizzando l'approssimazione GGA. Per i composti HfSiO4 e Hf3SiO8, i risultati dello studio della struttura a bande mostrano che entrambi i composti sono semiconduttori a gap indiretto con valori di previsione pari a 7,2 eV e 5,2 eV rispettivamente per HfSiO4 e Hf3SiO8. Le proprietà termoelettriche e la stabilità dinamica ottenute indicano che questi composti sono molto rigidi, indeformabili e altamente ordinati.

Product details

Binding:: Paperback
Number of Pages:: 68
Publication Date:: 2025-06-18
Publisher:: Edizioni Sapienza
Languages:: Original: Italian
ISBN10:: 6208969042
ISBN13:: 9786208969042
GPSR Manufacturer Reference:: [email protected]
Weight:: 119 g
Height:: 150 cm
Width:: 220 cm
Thickness:: 5 cm

Buy on Amazon

Currently sold out