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Entwicklung von GaInP/GaAs-Multi-Emitterfinger-Heterostruktur-Bipolartransistoren mit hohem Wirkungsgrad für den Einsatz in X-Band-Leistungsverstärkern
Entwicklung von GaInP/GaAs-Multi-Emitterfinger-Heterostruktur-Bipolartransistoren mit hohem Wirkungsgrad für den Einsatz in X-Band-Leistungsverstärkern
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Product details
- Binding:
- Paperback
- Languages:
- Published: German , Original: German
- Number of Pages:
- 136
- Publisher:
- Verlag Günter Mainz
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