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Protonendotierung von Silizium

Protonendotierung von Silizium Business & Technology

Protonendotierung von Silizium

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Description
Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.
Product details
Binding:
Paperback
Edition:
1
Number of Pages:
332
Release Date:
2014-10-21
Publication Date:
2014-10-21
Publisher:
Springer Fachmedien Wiesbaden
Languages:
Original: German
ISBN10:
3658073896
ISBN13:
9783658073893
GPSR Manufacturer Reference:
[email protected]
Weight:
431 g
Height:
148 cm
Width:
210 cm
Thickness:
19 cm
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