Ocena wydajno¿ci architektury 3D SRAM z wykorzystaniem wspó¿osiowych TSV

Name: Ocena wydajno¿ci architektury 3D SRAM z wykorzystaniem wspó¿osiowych TSV
Brand: Wydawnictwo Nasza Wiedza
Availability: OutOfStock
Rating: 5 (1 reviews)

By Prasath, R. Arun

0 - Default Title

Description

Uk¿adanie w stosy urz¿dze¿ logicznych i pami¿ciowych w technologii 3D ma zasadnicze znaczenie dla utrzymania tempa rozwoju zgodnie z prawem Moore'a. W integracji 3D urz¿dzenia pami¿ciowe mog¿ by¿ uk¿adane w stosy na procesorach. Architektura pami¿ci 3D oparta na TSV umo¿liwia ponowne wykorzystanie uk¿adów logicznych z wieloma warstwami pami¿ci. Konwencjonalna pami¿¿ 3D charakteryzuje si¿ nisk¿ pr¿dko¿ci¿, wysokim zu¿yciem energii i nisk¿ wydajno¿ci¿ z powodu du¿ego obci¿¿enia paso¿ytniczego TSV i zmienno¿ci PVT mi¿dzy warstwami. Aby przezwyci¿¿y¿ te ograniczenia, w niniejszym artykule przedstawiono fizyczny projekt architektury pó¿-master-slave (SMS) pami¿ci 3D SRAM, która zapewnia interfejs logiczny SRAM o stäym obci¿¿eniu w ró¿nych warstwach oraz wysok¿ tolerancj¿ na zmiany PVT mi¿dzy warstwami. Schemat SMS jest po¿¿czony z samoczynnie taktowanym ró¿nicowym TSV (STDT) wykorzystuj¿cym schemat ¿ledzenia obci¿¿enia TSV w celu uzyskania niewielkiego wahania napi¿cia TSV w celu st¿umienia obci¿¿enia mocy i pr¿dko¿ci komunikacji sygnäu mi¿dzywarstwowego TSV wynikaj¿cego z du¿ych obci¿¿e¿ paso¿ytniczych TSV w projektach UMCP ze skalowalnymi warstwami i szerokim IO. Zapewnia to uniwersaln¿ platform¿ pojemno¿ci pami¿ci.

Product details

Binding:: Paperback
Number of Pages:: 72
Release Date:: 2025-11-18
Publication Date:: 2025-11-18
Publisher:: Wydawnictwo Nasza Wiedza
Languages:: Original: Polish
ISBN10:: 6209279120
ISBN13:: 9786209279126
GPSR Manufacturer Reference:: [email protected]
Weight:: 125 g
Height:: 15 cm
Width:: 22 cm
Thickness:: 0.5 cm

Buy on Amazon

Currently sold out

Add to Wishlist