MOS Interface Physics, Process and Characterization
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MOS Interface Physics, Process and Characterization
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Beschreibung
The electronic device based on Metal Oxide Semiconductor (MOS) structure is the most important component of a large-scale integrated circuit and the key to achieving high performance devices. This book contains experimental examples focusing on MOS and will be a reference for academics and postgraduates in the field of microelectronics.
Produktdetails
- Typ:
- Buch
- Einband:
- Taschenbuch
- Edition:
- 1
- Sprachen:
-
Original:
Englisch
- Seitenzahl:
-
174
- Herausgeber:
-
CRC Press
- Veröffentlichungsdatum:
-
2024-01-29
- Erscheinungsdatum:
-
2021-10-06
- ISBN / EAN:
-
9781032106281
- Gewicht:
-
262 g
- Maße:
-
15/23/1 cm
- GPSR-Herstellerreferenz:
-
[email protected]
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