{"product_id":"murti-n-s-sarma-studio-della-progettazione-ottimale-di-dispositivi-riconfigurabili-su-scala-nanometrica-9786202473231","title":"Studio della progettazione ottimale di dispositivi riconfigurabili su scala nanometrica","description":"Lo scopo della progettazione di SiNWFET utilizzando un distanziatore doppio k è quello di ridurre l'SCE e aumentare il rapporto di corrente on-off. Il dispositivo proposto combina efficacemente diversi meccanismi di riduzione del sub threshold swing (SS). Utilizzando distanziatori e giunzioni Schottky otteniamo un sistema più efficiente per migliorare le metriche di progettazione come la densità elettrica, il potenziale e la resistenza del dispositivo. I risultati della nostra simulazione mostrano che, sebbene lo spaziatore ad alto ¿ migliori le prestazioni del dispositivo come ION, S\/S, le prestazioni del dispositivo sono migliorate e le perdite sono state ridotte. Nel SiNWFET esistente, ridurre lo spessore dell'ossido di gate non è una buona idea, poiché causa una riduzione del rapporto corrente ON-OFF, anche se S\/S rimane per lo più inalterato. In un normale FET senza spaziatore, la corrente off è elevata e l'effetto canale corto è aumentato. In quelli esistenti, la corrente off è maggiore e anche le prestazioni sono ridotte. La revisione, la sintesi e la conduzione della letteratura sono metriche effettive di un tentativo standard o post-laurea di revisione della letteratura. Una revisione ben organizzata e formulata metterà in luce il contributo e l'inquadramento di una buona metodologia.","brand":"Edizioni Sapienza","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":53706010362198,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"EUR","in_stock":false}],"url":"https:\/\/www.momoxbooks.com\/products\/murti-n-s-sarma-studio-della-progettazione-ottimale-di-dispositivi-riconfigurabili-su-scala-nanometrica-9786202473231","provider":"momoxbooks","version":"1.0","type":"link"}