{"product_id":"murti-n-s-sarma-investigacao-do-design-ideal-em-dispositivos-reconfiguraveis-em-nanoescala-9786202473248","title":"Investigação do design ideal em dispositivos reconfiguráveis em nanoescala","description":"O objetivo do design do SiNWFET utilizando espaçador duplo k é reduzir o SCE e aumentar a relação corrente ligada\/desligada. O dispositivo proposto combina eficazmente diferentes mecanismos de redução do sub threshold swing (SS). Ao utilizar espaçadores e junção schottky, obtemos um sistema mais eficiente para melhorar as métricas de design, como densidade elétrica, potencial e resistência do dispositivo. Os resultados da nossa simulação mostram que, embora o espaçador high-¿ melhore o desempenho do dispositivo, como ION, S\/S, o desempenho do dispositivo melhorou e reduziu as perdas. No SiNWFET existente, reduzir a espessura do óxido de porta não é uma boa ideia, pois causa uma redução na relação de corrente ON-OFF, embora o S\/S permaneça praticamente inalterado. Em um FET normal sem espaçador, há alta corrente off e aumento do efeito de canal curto. No existente, a corrente off é maior e o desempenho também é reduzido. A revisão, síntese e condução da literatura são métricas reais de uma tentativa padrão ou de pós-graduação de revisão da literatura. Uma revisão bem organizada e formulada dará a melhor luz sobre a contribuição e a estruturação da boa metodologia.","brand":"Edições Nosso Conhecimento","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":53706007707990,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"EUR","in_stock":false}],"url":"https:\/\/www.momoxbooks.com\/products\/murti-n-s-sarma-investigacao-do-design-ideal-em-dispositivos-reconfiguraveis-em-nanoescala-9786202473248","provider":"momoxbooks","version":"1.0","type":"link"}