{"product_id":"mawloud-moussa-ould-studio-delle-proprieta-optoelettroniche-delle-leghe-hfxsi1-xo2-9786208969042","title":"Studio delle proprietà optoelettroniche delle leghe HfxSi1-xO2","description":"In questo lavoro abbiamo studiato la stabilità dinamica, le proprietà strutturali, elettroniche e termoelettriche delle leghe di tipo HfxSi1-xO2, utilizzando il metodo delle onde piane linearizzate aumentate con potenziale totale (FP-LAPW) nell'ambito della teoria della funzionale della densità (DFT) implementata nel codice Wien2k. Il potenziale di scambio e di correlazione è stato trattato con diverse approssimazioni come GGA. I risultati elettronici ottenuti hanno mostrato che HfSi3O8 possiede un carattere semiconduttore con un gap diretto pari a 3,909 eV, utilizzando l'approssimazione GGA. Per i composti HfSiO4 e Hf3SiO8, i risultati dello studio della struttura a bande mostrano che entrambi i composti sono semiconduttori a gap indiretto con valori di previsione pari a 7,2 eV e 5,2 eV rispettivamente per HfSiO4 e Hf3SiO8. Le proprietà termoelettriche e la stabilità dinamica ottenute indicano che questi composti sono molto rigidi, indeformabili e altamente ordinati.","brand":"Edizioni Sapienza","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":53703216824662,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"EUR","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0925\/5829\/5382\/files\/product_image_9786208969042_1.jpg?v=1781758696","url":"https:\/\/www.momoxbooks.com\/products\/mawloud-moussa-ould-studio-delle-proprieta-optoelettroniche-delle-leghe-hfxsi1-xo2-9786208969042","provider":"momoxbooks","version":"1.0","type":"link"}