{"product_id":"mawloud-moussa-ould-estudo-das-propriedades-optoelectronicas-das-ligas-hfxsi1-xo2-9786208969066","title":"Estudo das propriedades optoelectrónicas das ligas HfxSi1-xO2","description":"Neste trabalho, estudámos a estabilidade dinâmica, as propriedades estruturais, eletrónicas e termoelétricas das ligas do tipo HfxSi1-xO2, utilizando o método das ondas planas aumentadas linearizadas com um potencial total (FP-LAPW) no âmbito da teoria da funcional da densidade (DFT) implementada no código Wien2k. O potencial de troca e correlação foi tratado por diferentes aproximações, como GGA. Os resultados eletrónicos que obtivemos mostraram que o HfSi3O8 possui um caráter semicondutor com um gap direto igual a 3,909 eV, utilizando a aproximação GGA. Para os compostos HfSiO4 e Hf3SiO8, os resultados do estudo da estrutura de banda mostram que ambos os compostos são semicondutores com uma lacuna indireta com valores de previsão iguais a 7,2 eV e 5,2 eV para HfSiO4 e Hf3SiO8, respetivamente. As propriedades termoelétricas e a estabilidade dinâmica obtidas indicam que estes compostos são muito rígidos, indeformáveis e altamente ordenados.","brand":"Edições Nosso Conhecimento","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":53620461601110,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"EUR","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0925\/5829\/5382\/files\/product_image_9786208969066_1_46609382-cf44-4960-8bcb-def72d3f8907.jpg?v=1781723893","url":"https:\/\/www.momoxbooks.com\/products\/mawloud-moussa-ould-estudo-das-propriedades-optoelectronicas-das-ligas-hfxsi1-xo2-9786208969066","provider":"momoxbooks","version":"1.0","type":"link"}