{"product_id":"mawloud-moussa-ould-badanie-w-a-ciwo-ci-optoelektronicznych-stopow-hfxsi1-xo2-9786208969059","title":"Badanie w¿a¿ciwo¿ci optoelektronicznych stopów HfxSi1-xO2","description":"W niniejszej pracy zbadali¿my stabilno¿¿ dynamiczn¿, w¿äciwo¿ci strukturalne, elektroniczne i termoelektryczne stopów typu HfxSi1-xO2, stosuj¿c metod¿ liniaryzowanych fal p¿askich o cäkowitym potencjale (FP-LAPW) w ramach teorii funkcjonäu g¿sto¿ci (DFT) zaimplementowanej w kodzie Wien2k. Potencjä wymiany i korelacji by¿ traktowany przy u¿yciu ró¿nych aproksymacji, takich jak GGA. Uzyskane wyniki elektroniczne wykazäy, ¿e HfSi3O8 ma charakter pó¿przewodnika z bezpo¿redni¿ przerw¿ energetyczn¿ równ¿ 3,909 eV, przy u¿yciu aproksymacji GGA. W przypadku zwi¿zków HfSiO4 i Hf3SiO8 wyniki badania struktury pasmowej wskazuj¿, ¿e oba zwi¿zki s¿ pó¿przewodnikami z po¿redni¿ przerw¿ energetyczn¿ o warto¿ciach prognozowanych wynosz¿cych odpowiednio 7,2 eV i 5,2 eV dla HfSiO4 i Hf3SiO8. Uzyskane w¿äciwo¿ci termoelektryczne i stabilno¿¿ dynamiczna wskazuj¿, ¿e zwi¿zki te s¿ bardzo sztywne, nieodksztäcalne i silnie uporz¿dkowane.","brand":"Wydawnictwo Nasza Wiedza","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":53703250542934,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"EUR","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0925\/5829\/5382\/files\/product_image_9786208969059_1_13da8a09-d55a-44c1-a859-f340d484ed6e.jpg?v=1781758707","url":"https:\/\/www.momoxbooks.com\/products\/mawloud-moussa-ould-badanie-w-a-ciwo-ci-optoelektronicznych-stopow-hfxsi1-xo2-9786208969059","provider":"momoxbooks","version":"1.0","type":"link"}